EVO5N 625W Module solaire bifacial de type N TOPCon 156 cellules

1. Texturation

La section texturing (un total de 6 lignes) comprend à son tour

pré-nettoyage

Lavage à l'eau pure avant velours

Texturation*3

Lavage à l'eau pure après velours

après le nettoyage

Après le lavage, laver à l'eau pure

décapage

Lavage à l'eau pure après décapage

pré-déshydratation à tirage lent

séchage*5 etc.

2. Diffusion du bore

Le but du processus de diffusion est de former une jonction PN sur la plaquette de silicium pour réaliser la conversion de l'énergie lumineuse en énergie électrique. L'équipement de fabrication de la jonction PN est un four à diffusion. Le projet utilise du trichlorure de bore gazeux pour diffuser la plaquette de silicium dans le four de diffusion. Les atomes de bore diffusent dans la plaquette de silicium et forment une couche de verre borosilicaté à la surface de la plaquette de silicium. L'équation de réaction principale est :

4BCl3+3O2→2B2O3+6Cl2↑

2B2O3+3Si→3SiO2+4B

3. Redopage au laser SE

La technologie de dopage laser consiste à faire un dopage lourd sur la partie de contact de la ligne de grille métallique (électrode) et de la tranche de silicium, tout en gardant le dopage léger (dopage à faible concentration) à l'extérieur de l'électrode. Une pré-diffusion est réalisée à la surface de la plaquette de silicium par diffusion thermique pour former un dopage léger ; dans le même temps, la surface BSG (verre borosilicaté) est utilisée comme source locale de dopage laser lourd. Grâce à l'effet thermique local du laser, les atomes du BSG se diffusent rapidement dans la plaquette de silicium pour la deuxième fois pour former une région locale fortement dopée.

4. Post-oxydation

Lorsque la surface de la plaquette de silicium est traitée par laser SE, la couche d'oxyde sur la surface de diffusion du bore (surface incidente de la lumière) est détruite par l'énergie ponctuelle du laser. Pendant le polissage et la gravure alcalins, une couche d'oxyde est nécessaire en tant que couche de masque pour protéger la surface de diffusion du phosphore (surface incidente de lumière) de la tranche de silicium. Par conséquent, il est nécessaire de réparer la couche d'oxyde sur la surface balayée par le laser SE.

5. Dopage in situ par dépôt POPAID

Le procédé POPAID est un procédé clé pour intégrer le revêtement de plaque préparé par la couche d'oxyde tunnel et la couche de silicium dopé.

6. Recuit

Placer la tranche de silicium dans un tube de réaction en verre de quartz, et le tube de réaction est chauffé par un four de chauffage de fil de résistance à une certaine température (la température couramment utilisée est de 900-1200 ° C, et elle peut être abaissée à moins de 600 ° C dans des conditions spéciales). Lorsque l'oxygène passe à travers le tube de réaction, une réaction chimique se produit à la surface de la tranche de silicium:

Si (état solide) + O2 (état de gaz) → SiO2 (état solide)

7. Nettoyage BOE

Réservoir de décapage * 2

lavé

Après le décapage (HCL / HF / DI)

lavé

levage lent

séchage * 6

8. revêtement avant

Le principe de base consiste à utiliser la photo-décharge à haute fréquence pour générer du plasma pour affecter le processus de dépôt de film, favoriser la décomposition, la combinaison, l'excitation et l'ionisation des molécules de gaz et favoriser la génération de groupes réactifs.

Les principales réactions chimiques qui se produisent lors du dépôt de PECVD des films d'oxynitride de silicium sont:

SIH4 + NH3 + N2O → XSI2O2N4 + N2 ↑ + YH2 ↑

9. revêtement arrière

Les principales réactions chimiques qui se produisent lors du dépôt de PECVD des films d'oxynitride de silicium sont:

SIH4 + NH3 + N2O → XSI2O2N4 + N2 ↑ + YH2 ↑

10. Métallisation

1) Impression

Pendant le processus d'impression, la suspension est au-dessus de l'écran et le grattoir est appuyé contre l'écran avec une certaine pression, de sorte que l'écran se déforme et entre en contact avec la surface de la tranche de silicium. La suspension touche la surface de la tranche de silicium par extrusion; La surface de la tranche de silicium a une forte force d'adsorption, qui arrache la suspension du maillage. À l'heure actuelle, le grattoir est en fonctionnement, et le pochoir précédemment déformé fera tomber la suspension en douceur à la surface de la tranche de silicium sous l'action d'une bonne force de restauration. Parmi eux, la pâte d'argent se trouve une pâte d'impression en pâte en argent ultrafine de haute pureté et en poudre en aluminium comme métal principal, et une certaine quantité de liant organique et de résine comme agents auxiliaires.

2) frittage

Le frittage consiste à friser la pâte de grille fine principale imprimée sur la tranche de silicium dans une cellule à haute température afin que les électrodes soient intégrées à la surface, formant un contact mécanique ferme et une bonne connexion électrique, et enfin formant un contact ohmique entre l'électrode et la tranche de silicium elle-même.

3) l'électroinjection

Une fois les cellules frittées, la méthode d'injection électrique directe des porteurs (injection inverse du courant direct) est utilisée pour modifier l'état de charge de l'hydrogène dans le corps du silicium, de sorte que le complexe atténué du boron-oxygène peut être bien passivé et transformé en une écologie régénérative stable, et enfin d'atteindre le but de la désintégration anti-lumière.

11. Emballage d'essai

Une fois la cellule solaire fabriquée, les paramètres de performance électrique de la cellule solaire seront testés avec des instruments de test (tels que la mesure de sa courbe IV et de son taux de conversion de la lumière et d'autres paramètres électriques). Une fois le test terminé, la batterie sera automatiquement divisée en plusieurs niveaux selon certaines normes.