Les modules bifaciaux de la série E VO 5N combinent la technologie TOPCon de type N de pointe, une plaquette de silicium de 182 mm et une demi-cellule . Une durée de vie de 30 ans apporte 10 à 30 % de production d'énergie supplémentaire par rapport aux modules de type P conventionnels. Le module demi-cellule bifacial SunEvo de type N peut atteindre une plage de puissance de sortie comprise entre 605W et 625W.
marque:
SunEvoplage de puissance :
605W~625Wefficacité max. :
22.36%nombre de cellules :
156 (6×26)dimensions du module L*W*H :
2465 x 1134 x 30mmmasse :
34.5kgsvitre frontale :
2.0mm coated semi-tempered glassvitre arrière :
2.0mm semi-tempered glassCadre :
Anodized aluminium alloyBoîte de dérivation :
Ip68 rated (3 bypass diodes)câble :
4mm² , 300mm (+) / 300mm (-), Length can be customizedcharge de vent/neige :
5400Paconnecteur :
MC4 compatiblebifacialité :
80±5%E VO 5N type N TOPCon 156 demi-cellules 605W 610W 615W 620W 625W Module solaire bifacial en verre double
Les modules bifaciaux de la série E VO 5N combinent la technologie TOPCon de type N, une plaquette de silicium de 182 mm et une demi-cellule. Une durée de vie de 30 ans apporte 10 à 30 % de production d'énergie supplémentaire par rapport aux modules de type P conventionnels. Le module demi-cellule bifacial SunEvo de type N peut atteindre une plage de puissance de sortie comprise entre 605W et 625W.
Paramètres électriques (STC*)
| Puissance maximale (Pmax/W) |
605 |
610 |
615 |
620 |
625 |
| Tension d'alimentation maximale (Vmp/V) |
45,63 |
45,76 |
45,90 |
46.03 |
46.16 |
| Courant de puissance maximal (Imp/A) |
13.26 |
13h33 |
13h40 |
13h47 |
13.54 |
| Tension en circuit ouvert (Voc/V) |
55.30 |
55.41 |
55,53 |
55,64 |
55,75 |
| Courant de court-circuit (Isc/A) |
13,97 |
14.04 |
14.11 |
14.18 |
14h25 |
| Efficacité du module (%) |
21.64 |
21.82 |
22h00 |
22.18 |
22.36 |
| Tolérance de puissance de sortie (W) |
0/+5W |
||||
| Coefficient de température d'Isc |
+0.045%/°C |
||||
| Coefficient de température de cov |
-0.250%/°C |
||||
| Coefficient de température de Pmax |
-0.290%/°C |
||||
| 5% | Puissance maximale (Pmax/W) | 635 | 641 | 646 | 651 | 656 |
| Efficacité du module STC(%) | 22.73 | 22.91 | 23.10 | 23.29 | 23.48 | |
| 15% | Puissance maximale (Pmax/W) | 696 | 702 | 707 | 713 | 719 |
| Efficacité du module STC(%) | 24,89 | 25.10 | 25h30 | 25.51 | 25.71 | |
| 25% | Puissance maximale (Pmax/W) | 756 | 763 | 769 | 775 | 781 |
| Efficacité du module STC(%) | 27.05 | 27.28 | 27,50 | 27.73 | 27,95 |
1. Texturation
La section texturing (un total de 6 lignes) comprend à son tour
pré-nettoyage
Lavage à l'eau pure avant velours
Texturation*3
Lavage à l'eau pure après velours
après le nettoyage
Après le lavage, laver à l'eau pure
décapage
Lavage à l'eau pure après décapage
pré-déshydratation à tirage lent
séchage*5 etc.
2. Diffusion du bore
Le but du processus de diffusion est de former une jonction PN sur la plaquette de silicium pour réaliser la conversion de l'énergie lumineuse en énergie électrique. L'équipement de fabrication de la jonction PN est un four à diffusion. Le projet utilise du trichlorure de bore gazeux pour diffuser la plaquette de silicium dans le four de diffusion. Les atomes de bore diffusent dans la plaquette de silicium et forment une couche de verre borosilicaté à la surface de la plaquette de silicium. L'équation de réaction principale est :
4BCl3+3O2→2B2O3+6Cl2↑
2B2O3+3Si→3SiO2+4B
3. Redopage au laser SE
La technologie de dopage laser consiste à faire un dopage lourd sur la partie de contact de la ligne de grille métallique (électrode) et de la tranche de silicium, tout en gardant le dopage léger (dopage à faible concentration) à l'extérieur de l'électrode. Une pré-diffusion est réalisée à la surface de la plaquette de silicium par diffusion thermique pour former un dopage léger ; dans le même temps, la surface BSG (verre borosilicaté) est utilisée comme source locale de dopage laser lourd. Grâce à l'effet thermique local du laser, les atomes du BSG se diffusent rapidement dans la plaquette de silicium pour la deuxième fois pour former une région locale fortement dopée.
4. Post-oxydation
Lorsque la surface de la plaquette de silicium est traitée par laser SE, la couche d'oxyde sur la surface de diffusion du bore (surface incidente de la lumière) est détruite par l'énergie ponctuelle du laser. Pendant le polissage et la gravure alcalins, une couche d'oxyde est nécessaire en tant que couche de masque pour protéger la surface de diffusion du phosphore (surface incidente de lumière) de la tranche de silicium. Par conséquent, il est nécessaire de réparer la couche d'oxyde sur la surface balayée par le laser SE.
5. Dopage in situ par dépôt POPAID
Le procédé POPAID est un procédé clé pour intégrer le revêtement de plaque préparé par la couche d'oxyde tunnel et la couche de silicium dopé.
6. Recuit
Placer la tranche de silicium dans un tube de réaction en verre de quartz, et le tube de réaction est chauffé par un four de chauffage de fil de résistance à une certaine température (la température couramment utilisée est de 900-1200 ° C, et elle peut être abaissée à moins de 600 ° C dans des conditions spéciales). Lorsque l'oxygène passe à travers le tube de réaction, une réaction chimique se produit à la surface de la tranche de silicium:
Si (état solide) + O2 (état de gaz) → SiO2 (état solide)
7. Nettoyage BOE
Réservoir de décapage * 2
lavé
Après le décapage (HCL / HF / DI)
lavé
levage lent
séchage * 6
8. revêtement avant
Le principe de base consiste à utiliser la photo-décharge à haute fréquence pour générer du plasma pour affecter le processus de dépôt de film, favoriser la décomposition, la combinaison, l'excitation et l'ionisation des molécules de gaz et favoriser la génération de groupes réactifs.
Les principales réactions chimiques qui se produisent lors du dépôt de PECVD des films d'oxynitride de silicium sont:
SIH4 + NH3 + N2O → XSI2O2N4 + N2 ↑ + YH2 ↑
9. revêtement arrière
Les principales réactions chimiques qui se produisent lors du dépôt de PECVD des films d'oxynitride de silicium sont:
SIH4 + NH3 + N2O → XSI2O2N4 + N2 ↑ + YH2 ↑
10. Métallisation
1) Impression
Pendant le processus d'impression, la suspension est au-dessus de l'écran et le grattoir est appuyé contre l'écran avec une certaine pression, de sorte que l'écran se déforme et entre en contact avec la surface de la tranche de silicium. La suspension touche la surface de la tranche de silicium par extrusion; La surface de la tranche de silicium a une forte force d'adsorption, qui arrache la suspension du maillage. À l'heure actuelle, le grattoir est en fonctionnement, et le pochoir précédemment déformé fera tomber la suspension en douceur à la surface de la tranche de silicium sous l'action d'une bonne force de restauration. Parmi eux, la pâte d'argent se trouve une pâte d'impression en pâte en argent ultrafine de haute pureté et en poudre en aluminium comme métal principal, et une certaine quantité de liant organique et de résine comme agents auxiliaires.
2) frittage
Le frittage consiste à friser la pâte de grille fine principale imprimée sur la tranche de silicium dans une cellule à haute température afin que les électrodes soient intégrées à la surface, formant un contact mécanique ferme et une bonne connexion électrique, et enfin formant un contact ohmique entre l'électrode et la tranche de silicium elle-même.
3) l'électroinjection
Une fois les cellules frittées, la méthode d'injection électrique directe des porteurs (injection inverse du courant direct) est utilisée pour modifier l'état de charge de l'hydrogène dans le corps du silicium, de sorte que le complexe atténué du boron-oxygène peut être bien passivé et transformé en une écologie régénérative stable, et enfin d'atteindre le but de la désintégration anti-lumière.
11. Emballage d'essai
Une fois la cellule solaire fabriquée, les paramètres de performance électrique de la cellule solaire seront testés avec des instruments de test (tels que la mesure de sa courbe IV et de son taux de conversion de la lumière et d'autres paramètres électriques). Une fois le test terminé, la batterie sera automatiquement divisée en plusieurs niveaux selon certaines normes.
evo série 5 144 demi-cellules 555W 560W 565W 570 wp 575 watts panneaux solaires photovoltaïques Module de panneau solaire photovoltaïque en verre double face monocristallin MBB topcon de type n basé sur une cellule solaire de 182 mm
evo 5 pro série 108 demi-cellules 430W 425W 420W 415W 410 watts panneaux solaires photovoltaïques Module de panneau solaire photovoltaïque en verre double face monocristallin MBB topcon de type n basé sur une cellule solaire de 182 mm
Les modules bifaciaux de la série E VO 5N combinent la technologie TOPCon de type N de pointe, adaptent une plaquette de silicium de 182 mm et une demi-cellule 16BB, 120 cellules. La plage de puissance de sortie est de 460W 465W 470W 475W 480W.
Les modules bifaciaux de la série E VO 5N combinent la technologie TOPCon de type N de pointe, une plaquette de silicium de 182 mm et une demi-cellule 16BB. Le module demi-cellule bifacial SunEvo de type N peut atteindre une puissance de sortie comprise entre 505W et 525W.
Les modules bifaciaux de la série E VO 5N combinent la technologie TOPCon de type N de pointe, une plaquette de silicium de 182 mm et une demi-cellule 16BB . Génération d'énergie plus élevée dans les conditions de travail, grâce à la technologie des cellules de contact passivantes. Le module demi-cellule bifacial SunEvo de type N peut atteindre une plage de puissance de sortie comprise entre 555W et 575W.
Les boîtiers de combinaison photovoltaïques SunEvo, également connus sous le nom de tableaux de distribution CC, sont assemblés en usine avec des équipements de surveillance, des fusibles, des dispositifs de protection contre les surtensions et des sectionneurs comme solution plug-and-play.
Un onduleur hybride, également connu sous le nom d'onduleur multimode, est un dispositif utilisé dans les systèmes d'énergie renouvelable, tels que les systèmes d'énergie solaire ou éolienne, pour convertir et gérer l'énergie électrique. Il combine les fonctionnalités d'un onduleur relié au réseau (sur réseau) et d'un onduleur hors réseau en une seule unité, permettant plus de flexibilité et d'efficacité dans l'utilisation de l'énergie.
Les panneaux solaires en bardeaux se distinguent comme une innovation révolutionnaire dans le domaine de la technologie solaire, présentant une configuration qui ressemble à l'arrangement complexe de cellules solaires comme un puzzle. Contrairement aux conceptions traditionnelles, ces panneaux se chevauchent comme des bardeaux sur un toit, présentant un motif visuellement saisissant et très efficace. Cette disposition distinctive optimise non seulement l'utilisation de l'espace disponible, mais minimise également les pertes d'énergie, conduisant à une puissance de sortie accrue et à des performances supérieures. Les panneaux solaires en bardeaux redéfinissent l'esthétique des installations solaires, alliant fonctionnalité et mosaïque visuellement captivante. Choisir la technologie solaire en bardeaux signifie une évolution vers une conception de pointe, une efficacité et un avenir durable dans le domaine de l’énergie solaire.
réseau ipv6 pris en charge
English
Deutsch
italiano
español
português
العربية
日本語
Polski
ไทย
